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    當腔室內成為真空時，腔壁內的污染物向腔室內泄出(out-gassing)，此種狀況稱為“假性漏氣”(virtual leak)，此和外界大氣泄漏至系統內的真實漏氣是不同。在減少腔室內壓力的同時污染物可能會進入沉積膜中，此問題可藉在晶圓夾承器上施以微小的負電偏壓 (bias)。此負電偏壓會在晶圓表面產生離子，能夠將假性漏氣泄出的污染原子由成長中的膜中排出。直流電的二極式電偶濺鍍主要被用于沉積金屬。 

    將靶材和射頻產生器的負極相連可改善濺鍍，因為如此一來就算靶材不是導體也能在接近靶材附近將氣體離子化。利用射頻濺鍍對濺鍍非導體材料(介電體)是必要的，但亦可用以濺鍍導體。在射頻法中也使用偏壓來清潔晶圓的表面。射頻偏壓提供了將暴露的晶圓面侵蝕和清潔的優點，做法是將晶圓夾承座放置在和氬氣不同的電場處，使得氬原子直接沖撞晶圓，此稱為“濺式蝕刻”(sputter etch)、“逆向濺鍍”(reverse sputter)、或“離子研磨”(ion milling)。此種制程會將晶圓表面的污染物及晶圓表面的一層薄膜給除去。污染被除去會使暴露的晶圓區域和沉積膜間的電性接觸效果提高，并改善膜和晶圓剩余表面的黏著性。 

    在二極式電偶濺鍍中，在晶圓表面上或其附近有許多反應發生。當氬原子撞擊時，會產生許多電子，這些電子會使基材(指晶圓)被加熱，溫度升高，此會使沉積膜不均勻，同時這些電子也造成一種輻射環境，可能損傷一些敏感的組件。 

    當沉積物是鋁時，二極式電偶濺鍍的電子加熱會造成嚴重的問題，因為加熱會使靶材和腔室內殘余的氧和鋁化合形成二氧化鋁，而鋁的氧化物是介電材料，會減低沉積鋁的導電性質。更嚴重的是，靶板表面可能形成一層氧化鋁，使得沖擊來的氬原子(在二極式電偶濺鍍中)因能量不足以貫穿此層，造成靶材被封鎖住，而使得濺鍍中斷。 

    三極式電偶(triode)濺鍍法避免了一些二極式的問題。用以將氬離子化的電子是以一獨立的高電流電熱絲來產生，且其位置是在沉積腔室之外，故晶圓不會受到電子產生時產生的輻射傷害。以三極式法沉積出的膜之密度較高。 

    電偶式濺鍍的另一項問題是電子逃脫至腔室中，而不參與建立沉積所需要的電漿場。此種狀況則被“磁電”(magnetron) 式濺鍍系統加以解決。該系統在靶板背后及周圍加上磁場 (圖17)，此磁場會將電子捕捉 (限制) 在靶板的前方。在沉積速率增加的情形下，磁電式系統的效率較高。磁電式所造成的離子流(沖擊靶材的氬離子密度)比傳統的二極式電偶濺鍍多數倍。另一項效果則是因為腔室中需要較低的壓力故沉積膜更為干凈（不易產生假性漏氣）。由于磁電式濺鍍的靶材溫度低故常被用于濺鍍鋁和鋁合金。 
   
    量產級的濺鍍系統有數種不同的設計，腔室有批量式系統或單片晶圓連續式的不同設計。大部分的量產機都有裝填-閉鎖(load-lock)的能力。所謂裝填-閉鎖裝置是指一部分抽真空(指真空度不高)的前端腔室(antechamber)，如此可將沉積用腔室維持在真空狀態，其優點是能使產能較高。量產機通常只用以沉積一或二種靶材，但研究用的機器則能使用多種不同的靶材。